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氮化镓晶体生长技术书籍详细信息
- ISBN:9787511465214
- 作者:暂无作者
- 出版社:暂无出版社
- 出版时间:暂无出版时间
- 页数:232
- 价格:暂无价格
- 纸张:暂无纸张
- 装帧:暂无装帧
- 开本:暂无开本
- 语言:未知
- 丛书:暂无丛书
- TAG:暂无
- 豆瓣评分:暂无豆瓣评分
内容简介:
本书属Springer材料科学系列教材之一,主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有:GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍目录:
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作者介绍:
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出版社信息:
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其它内容:
书籍介绍
本书属Springer材料科学系列教材之一,主要内容涉及目前蓬勃发展的高亮度可见光LED及照明工程等相关领域。包含的内容主要有:GaN体材料的应用前景、GaN材料的卤化物气相外延生长技术、采用GaN籽晶技术生长GaN体材料、采用真空辅助技术生长自支撑GaN衬底、采用卤化物气相外延生长技术生长非极性与半极性GaN、GaN高生长速率的金属有机物气相外延法、热氨法生长GaN体材料、高/低压环境下的GaN生长技术、Na流量法生在大尺寸GaN技术简介、GaN晶体的表征方法等内容。
书籍真实打分
故事情节:4分
人物塑造:5分
主题深度:6分
文字风格:3分
语言运用:4分
文笔流畅:9分
思想传递:5分
知识深度:4分
知识广度:6分
实用性:3分
章节划分:7分
结构布局:5分
新颖与独特:4分
情感共鸣:7分
引人入胜:7分
现实相关:3分
沉浸感:6分
事实准确性:5分
文化贡献:9分
网站评分
书籍多样性:4分
书籍信息完全性:7分
网站更新速度:7分
使用便利性:4分
书籍清晰度:9分
书籍格式兼容性:9分
是否包含广告:8分
加载速度:7分
安全性:5分
稳定性:8分
搜索功能:3分
下载便捷性:8分
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下载评价
网友 冉***兮:如果满分一百分,我愿意给你99分,剩下一分怕你骄傲
网友 冯***卉:听说内置一千多万的书籍,不知道真假的
网友 宫***玉:我说完了。
网友 辛***玮:页面不错 整体风格喜欢
网友 丁***菱:好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好
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