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半导体物理学书籍详细信息

  • ISBN:9787560510101
  • 作者:暂无作者
  • 出版社:暂无出版社
  • 出版时间:1998-10
  • 页数:386
  • 价格:37.00元
  • 纸张:暂无纸张
  • 装帧:暂无装帧
  • 开本:暂无开本
  • 语言:未知
  • 丛书:暂无丛书
  • TAG:暂无
  • 豆瓣评分:暂无豆瓣评分

内容简介:

内容简介

本书较全面地论述了半导体物理的基础知识,全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结

构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子

的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面――包括p-n结、金属半导体接触、半导体表

面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。

本书可作为工科电子信息类微电子技术,半导体器件专业学生的教材,也可供从事相关专

业的科技人员参考。

书籍目录:

目录

主要参数符号表

第1章 半导体中的电子状态

1.1 半导体的晶格结构和结合性质

1.2 半导体中的电子状态和能带

1.3 半导体中电子的运动 有效质量

1.4 本征半导体的导电机构 空穴

1.5 回旋共振

1.6 硅和锗的能带结构

1.7 Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构

1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构

习题

参考资料

第2章 半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.2 Ⅲ-V族化合物中的杂质能级

2.3 缺陷、位错能级

习题

参考资料

第3章 半导体中载流子的统计分布

3.1 状态密度

3.2 费米能级和载流子的统计分布

3.3 本征半导体的载流子浓度

3.4 杂质半导体的载流子浓度

3.5 一般情况下的载流子统计分布

3.6 简并半导体

补充材料:电子占据杂质能级的概率

习题

参考资料

第4章 半导体的导电性

4.1 载流子的漂移运动 迁移率

4.2 载流子的散射

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论

4.6 强电场下的效应 热载流子

4.7 多能谷散射 耿氏效应

习题

参考资料

第5章 非平衡载流子

5.1 非平衡载流子的注入与复合

5.2 非平衡载流子的寿命

5.3 准费米能级

5.4 复合理论

5.5 陷阱效应

5.6 载流子的扩散运动

5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式

5.8 连续性方程式

习题

参考资料

第6章 p-n结

6.1 p-n结及其能带图

6.2 p-n结电流电压特性

6.3 p-n结电容

6.4 p-n结击穿

6.5 p-n结隧道效应

习题

参考资料

第7章 金属和半导体的接触

7.1 金属半导体接触及其能级图

7.2 金属半导体接触整流理论

7.3 少数载流子的注入和欧姆接触

习题

参考资料

第8章 半导体表面与MIS结构

8.1 表面态

8.2 表面电场效应

8.3 MIS结构的电容-电压特性

8.4 硅-二氧化硅系数的性质

8.5 表面电导及迁移率

8.6 表面电场对p-n结特性的影响

习题

参考资料

第9章 异质结

9.1 异质结及其能带图

9.2 异质结的电流输运机构

9.3 异质结在器件中的应用

9.4 半导体超晶格

习题

参考资料

第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象

10.1 半导体的光学常数

10.2 半导体的光吸收

10.3 半导体的光电导

10.4 半导体的光生伏特效应

10.5 半导体发光

10.6半导体激光

习题

参考资料

第11章 半导体的热电性质

11.1 热电效应的一般描述

11.2 半导体的温差电动势率

11.3 半导体的珀耳帖效应

11.4 半导体的汤姆孙效应

11.5 半导体的热导率

11.6半导体热电效应的应用

习题

参考资料

第12章 半导体磁和压阻效应

12.1 霍耳效应

12.2 磁阻效应

12.3 磁光效应

12.4 量子化霍耳效应

12.5 热磁效应

12.6 光磁电效应

12.7 压阻效应

12.8 声波和载流子的相互作用

习题

参考资料

第13章 非晶态半导体

13.1 非晶态半导体的结构

13.2 非晶态半导体中的电子态

13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应

13.4 非晶态半导体中的电学性质

13.5 非晶态半导体中的光学性质

13.6 a-Si:H的p-n结与金-半接触特性

参考资料

附录

附录1 常用物理常数和能量表达变换表

附表1-1 常用物理常数表

附表1-2 能量表达变换表

附录2 半导体材料物理性质表

附表2-1 Ⅳ族半导体材料的性质

附表2-2 Ⅲ-V族半导体材料的性质

附表2-3 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的性质

附表2-4 Ⅳ-Ⅵ族半导体材料的性质

附表2-5 Ⅲ-V族三元化合物半导体材料的性质

参考资料

作者介绍:

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其它内容:

书籍介绍

内容简介

本书较全面地论述了半导体物理的基础知识,全书共13章,主要内容为:半导体的晶格结

构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子

的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面――包括p-n结、金属半导体接触、半导体表

面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体。

本书可作为工科电子信息类微电子技术,半导体器件专业学生的教材,也可供从事相关专

业的科技人员参考。

书籍真实打分

故事情节:4分

人物塑造:4分

主题深度:8分

文字风格:9分

语言运用:6分

文笔流畅:8分

思想传递:9分

知识深度:4分

知识广度:4分

实用性:9分

章节划分:5分

结构布局:6分

新颖与独特:8分

情感共鸣:4分

引人入胜:3分

现实相关:9分

沉浸感:5分

事实准确性:7分

文化贡献:4分

网站评分

书籍多样性:3分

书籍信息完全性:7分

网站更新速度:4分

使用便利性:8分

书籍清晰度:6分

书籍格式兼容性:4分

是否包含广告:9分

加载速度:6分

安全性:3分

稳定性:5分

搜索功能:8分

下载便捷性:4分

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网友 养***秋:我是新来的考古学家

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网友 融***华:下载速度还可以

网友 通***蕊:五颗星、五颗星,大赞还觉得不错!~~

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