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半导体物理与器件书籍详细信息

  • ISBN:9787121146985
  • 作者:暂无作者
  • 出版社:暂无出版社
  • 出版时间:2011-10
  • 页数:748
  • 价格:89.00元
  • 纸张:暂无纸张
  • 装帧:暂无装帧
  • 开本:暂无开本
  • 语言:未知
  • 丛书:暂无丛书
  • TAG:暂无
  • 豆瓣评分:暂无豆瓣评分

内容简介:

《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。

书籍目录:

第一部分 半导体材料属性第1章 固体晶格结构第2章 量子力学初步第3章 固体量子理论初步第4章 平衡半导体第5章 载流子输运现象第6章 半导体中的非平衡过剩载流子 第二部分 半导体器件基础第7章 pn结第8章 pn结二极管第9章 金属半导体和半导体异质结第10章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管:概念的深入第12章 双极晶体管第13章 结型场效应晶体管 第三部分 专用半导体器件第14章 光器件第15章 半导体功率器件附录A 部分参数符号列表附录B 单位制、单位换算和通用常数附录C 元素周期表附录D 能量单位——电子伏特附录E 薛定谔波动方程的推导附录F 有效质量概念附件G 误差函数附录H 部分习题参考答案索引

作者介绍:

Donald A. Neamen(唐纳德.A.尼曼),美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授,于新墨西哥大学取得博士学位后.成为Hanscom空军基地固态科学实验室电子工程师。1976年,加入新墨西哥大学电气与计算机工程系,从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。目前,尼曼仍是该系的返聘教员。近来,他曾任教于中国上海的密歇根-上海交通大学联合研究所。

1980年,尼曼教授获得新墨西哥大学“杰出教师奖”;1983年和1985年.获得由美国最悠久的工程荣誉学会Tau Beta Pi(TBI)颁发的“工程学院杰出教师奖”。1990年及从1994年开始至2001年的每一年,获得由电气和计算机工程系毕业生授予的“荣誉教师奖”。他还于1994年获得工程学院的“优秀教学奖”。

除教学外,尼曼教授曾任电气与计算机工程系副主任,并曾与业界的Martin Marietta公司、Sandia美国国家实验室和Raytheon公司合作。发表过许多论文,同时是Microelectronics Circuit Analysis and Design,Fourth Edition和An Introduction to Semiconductor Devices两书的作者。

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其它内容:

书籍介绍

《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。

书籍真实打分

故事情节:7分

人物塑造:3分

主题深度:9分

文字风格:5分

语言运用:5分

文笔流畅:7分

思想传递:7分

知识深度:6分

知识广度:5分

实用性:6分

章节划分:6分

结构布局:5分

新颖与独特:6分

情感共鸣:8分

引人入胜:8分

现实相关:3分

沉浸感:3分

事实准确性:8分

文化贡献:9分

网站评分

书籍多样性:8分

书籍信息完全性:3分

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使用便利性:3分

书籍清晰度:8分

书籍格式兼容性:5分

是否包含广告:8分

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安全性:7分

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