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晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】书籍详细信息
- ISBN：9787560338699
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2013-01
- 页数：417
- 价格：61.00
- 纸张：书写纸
- 装帧：平装
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
寄语：
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内容简介：
%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;《springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提
书籍目录：
缩略语PartD 晶体的气相生长23 SiC晶体的生长与表征23.1 SiC-背景与历史23.2 气相生长23.3 高温溶液生长23.4 籽晶升华的产业化体材料生长23.5 结构缺陷及其构造23.6
作者介绍：
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出版社信息：
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书籍摘录：
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原文赏析：
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其它内容：
书籍介绍
《晶体生长手册4:蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
书籍真实打分
故事情节：6分
人物塑造：3分
主题深度：6分
文字风格：8分
语言运用：5分
文笔流畅：9分
思想传递：5分
知识深度：7分
知识广度：8分
实用性：6分
章节划分：9分
结构布局：5分
新颖与独特：3分
情感共鸣：6分
引人入胜：3分
现实相关：6分
沉浸感：4分
事实准确性：9分
文化贡献：4分
网站评分
书籍多样性：4分
书籍信息完全性：8分
网站更新速度：5分
使用便利性：4分
书籍清晰度：9分
书籍格式兼容性：8分
是否包含广告：9分
加载速度：8分
安全性：4分
稳定性：9分
搜索功能：5分
下载便捷性：7分
下载点评
- 字体合适(70+)
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