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碳化硅技术基本原理--生长表征器件和应用/新型电力电子器件丛书 机械工业【新华书店正版图书书籍】书籍详细信息
- ISBN：9787111586807
- 作者：暂无作者
- 出版社：暂无出版社
- 出版时间：2018-05
- 页数：500
- 价格：89.80
- 纸张：书写纸
- 装帧：平装
- 开本：16开
- 语言：未知
- 丛书：暂无丛书
- TAG：暂无
- 豆瓣评分：暂无豆瓣评分
寄语：
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内容简介：
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的
书籍目录：
译者序
原书前言
原书作者简介
第１章 导论１ １.１ 电子学的进展１ １.２ 碳化硅的特性和简史３ １.２.１ 早期历史３ １.２.２ ＳｉＣ晶体生长的革新４ １.２.３ ＳｉＣ功率器件的前
作者介绍：
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出版社信息：
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书籍摘录：
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书籍真实打分
故事情节：3分
人物塑造：6分
主题深度：8分
文字风格：6分
语言运用：5分
文笔流畅：9分
思想传递：7分
知识深度：4分
知识广度：3分
实用性：5分
章节划分：9分
结构布局：3分
新颖与独特：4分
情感共鸣：6分
引人入胜：6分
现实相关：7分
沉浸感：5分
事实准确性：7分
文化贡献：8分
网站评分
书籍多样性：3分
书籍信息完全性：6分
网站更新速度：9分
使用便利性：5分
书籍清晰度：8分
书籍格式兼容性：5分
是否包含广告：7分
加载速度：6分
安全性：7分
稳定性：3分
搜索功能：6分
下载便捷性：5分
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